SI7272DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7272DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7272DP

SI7272DP Datasheet (PDF)

..1. Size:477K vishay
si7272dp.pdf

New ProductSi7272DPVishay SiliconixDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.0093 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized30 8.20.0124 at VGS = 4.5 V 25APPLICATIONS System Power DC/DCPowerPAK SO-8D1 D2S16.15 mm 5.15 mm1G12S2

9.1. Size:499K vishay
si7270dp.pdf

New ProductSi7270DPVishay SiliconixDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition 0.021 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET30 6.6 PWM Optimized0.025 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECA

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Liste

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