SI7272DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7272DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0093 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7272DP datasheet

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SI7272DP

New Product Si7272DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0093 at VGS = 10 V 25 PWM Optimized 30 8.2 0.0124 at VGS = 4.5 V 25 APPLICATIONS System Power DC/DC PowerPAK SO-8 D1 D2 S1 6.15 mm 5.15 mm 1 G1 2 S2

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SI7272DP

New Product Si7270DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A)f Qg (Typ.) Definition 0.021 at VGS = 10 V 8 TrenchFET Power MOSFET 30 6.6 PWM Optimized 0.025 at VGS = 4.5 V 8 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC A

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