SI7308DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7308DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de SI7308DN MOSFET
Principales características: SI7308DN
si7308dn.pdf
Si7308DN Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.058 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET 60 13 nC 0.072 at VGS = 4.5 V 6 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile PowerPAK 1212-8 APPLICATIONS
si7302dn.pdf
Si7302DN Vishay Siliconix N-Channel 220-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.320 at VGS = 10 V 8.4 TrenchFET Power MOSFET 220 9.1 nC 0.340 at VGS = 6 V 8.2 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Side Switching S D 3.30 mm 3.30 mm 1 S 2 S
si7309dn.pdf
Si7309DN Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.115 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET - 60 14.5 nC 0.146 at VGS = - 4.5 V - 8 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile APPLICATIONS PowerPAK
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History: SI7315DN | NTS4409N
Liste
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