SI7309DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7309DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7309DN

SI7309DN Datasheet (PDF)

..1. Size:539K vishay
si7309dn.pdf

Si7309DNVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.115 at VGS = - 10 V - 8 TrenchFET Power MOSFET- 60 14.5 nC0.146 at VGS = - 4.5 V - 8 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07 mm ProfileAPPLICATIONSPowerPAK

9.1. Size:537K vishay
si7302dn.pdf

Si7302DNVishay SiliconixN-Channel 220-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.320 at VGS = 10 V 8.4 TrenchFET Power MOSFET220 9.1 nC0.340 at VGS = 6 V 8.2 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side SwitchingSD3.30 mm 3.30 mm1S2S

9.2. Size:538K vishay
si7308dn.pdf

Si7308DNVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.058 at VGS = 10 V 6 TrenchFET Power MOSFET60 13 nC0.072 at VGS = 4.5 V 6 Low Thermal Resistance PowerPAK Packagewith Small Size and Low 1.07 mm ProfilePowerPAK 1212-8APPLICATIONS

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