SI7326DN Todos los transistores

 

SI7326DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7326DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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SI7326DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:532K  vishay
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SI7326DN

Si7326DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0195 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPLI

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SI7326DN

New ProductSi7328DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0066 at VGS = 10 V 35COMPLIANT30 21 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0076 at VGS = 4.5 V 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested

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SI7326DN

New ProductSi7322DNVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested0.058 at VGS = 10 V 100 18 13 nC RoHSCOMPLIANTAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Switch Isolated DC/DC ConvertersS3.30 mm 3.30 mm1DS

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History: SWD4N60K | STB75NF75T4 | SFP12N65 | HRP85N08K | NP160N04TUK | SSFM2506 | SI5857DU

 

 
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