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SI7326DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7326DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
 

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Principales características: SI7326DN

 ..1. Size:532K  vishay
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SI7326DN

Si7326DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0195 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET 30 0.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8 APPLI

 9.1. Size:573K  vishay
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SI7326DN

New Product Si7328DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0066 at VGS = 10 V 35 COMPLIANT 30 21 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0076 at VGS = 4.5 V 35 Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested

 9.2. Size:542K  vishay
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SI7326DN

New Product Si7322DN Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested 0.058 at VGS = 10 V 100 18 13 nC RoHS COMPLIANT APPLICATIONS PowerPAK 1212-8 Primary Switch Isolated DC/DC Converters S 3.30 mm 3.30 mm 1 D S

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