SI7328DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7328DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0066 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7328DN
SI7328DN Datasheet (PDF)
si7328dn.pdf
New ProductSi7328DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS0.0066 at VGS = 10 V 35COMPLIANT30 21 nC Low Thermal Resistance PowerPAK 0.0076 at VGS = 4.5 V 35Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested
si7326dn.pdf
Si7326DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0195 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPLI
si7322dn.pdf
New ProductSi7322DNVishay SiliconixN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 100 % UIS Tested0.058 at VGS = 10 V 100 18 13 nC RoHSCOMPLIANTAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Switch Isolated DC/DC ConvertersS3.30 mm 3.30 mm1DS
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