SI7342DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7342DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00825 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7342DP datasheet

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SI7342DP

Si7342DP Vishay Siliconix N-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.00825 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses 30 0.00975 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Pr

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SI7342DP

Si7344DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) rDS(on) ( )ID (A) New Low Thermal Resistance PowerPAK Available 0.008 @ VGS = 10 V 17 Package with Low 1.07-mm Profile 20 RoHS* 0.012 @ VGS = 4.5 V 14 PWM Optimized COMPLIANT APPLICATIONS DC/DC conversion High-Side - Desktop - Server PowerPAK

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