SI7342DP Todos los transistores

 

SI7342DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7342DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00825 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7342DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  vishay
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SI7342DP

Si7342DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.00825 at VGS = 10 V 15 Extremely Low Qgd for Low Switching Losses300.00975 at VGS = 4.5 V 13 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Pr

 9.1. Size:208K  vishay
 si7344dp.pdf pdf_icon

SI7342DP

Si7344DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A) New Low Thermal Resistance PowerPAKAvailable0.008 @ VGS = 10 V 17Package with Low 1.07-mm Profile20 RoHS*0.012 @ VGS = 4.5 V 14 PWM Optimized COMPLIANTAPPLICATIONS DC/DC conversion High-Side- Desktop- ServerPowerPAK

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E

 

 
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