SI7356ADP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7356ADP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 825 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7356ADP datasheet

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SI7356ADP

Si7356ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Ultra-Low On-Resistance Using High Density RoHS 0.003 at VGS = 10 V 40 TrenchFET Gen II COMPLIANT 30 46 nC 0.004 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg T

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SI7356ADP

Si7356ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Ultra-Low On-Resistance Using High Density RoHS 0.003 at VGS = 10 V 40 TrenchFET Gen II COMPLIANT 30 46 nC 0.004 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg T

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SI7356ADP

Si7358ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0042 at VGS = 10 V 23 Optimized for Low Side Synchronous COMPLIANT 30 30.5 0.0059 at VGS = 4.5 V 20 Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07

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