SI7356ADP Todos los transistores

 

SI7356ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7356ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 825 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7356ADP Datasheet (PDF)

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SI7356ADP

Si7356ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Ultra-Low On-Resistance Using High Density RoHS0.003 at VGS = 10 V 40TrenchFET Gen II COMPLIANT30 46 nC0.004 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg T

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Si7356ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) Ultra-Low On-Resistance Using High Density RoHS0.003 at VGS = 10 V 40TrenchFET Gen II COMPLIANT30 46 nC0.004 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg T

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SI7356ADP

Si7358ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.0042 at VGS = 10 V 23 Optimized for Low Side Synchronous COMPLIANT 30 30.50.0059 at VGS = 4.5 V 20 Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAK Package withLow 1.07

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History: 2SK2329L | DMG2301LK | FQI2NA90TU

 

 
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