SI7366DP Todos los transistores

 

SI7366DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7366DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7366DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:459K  vishay
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SI7366DP

Si7366DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0055 at VGS = 10 V 20COMPLIANT Qg Optimized 200.009 at VGS = 4.5 V 16APPLICATIONS Synchronous Rectifier for DC/DCPowerPAK SO-8S6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4DD8D7D6

 9.1. Size:459K  vishay
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SI7366DP

Si7368DPVishay SiliconixN-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0055 at VGS = 10 V 20COMPLIANT Low RDS x Qg Figure of Merit200.0085 at VGS = 4.5 V 16 Optimized For High Frequency Conversion APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/D

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History: STP40N65M2 | DH045N06F | ZM019N03N | AM4934N | IPL60R650P6S | DH045N04F | SI7344DP

 

 
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