SI7366DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7366DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7366DP datasheet

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SI7366DP

Si7366DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0055 at VGS = 10 V 20 COMPLIANT Qg Optimized 20 0.009 at VGS = 4.5 V 16 APPLICATIONS Synchronous Rectifier for DC/DC PowerPAK SO-8 S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2 S 3 G 4 D D 8 D 7 D 6

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SI7366DP

Si7368DP Vishay Siliconix N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0055 at VGS = 10 V 20 COMPLIANT Low RDS x Qg Figure of Merit 20 0.0085 at VGS = 4.5 V 16 Optimized For High Frequency Conversion APPLICATIONS Low-Side MOSFET in Synchronous Buck DC/D

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