SI7370ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7370ADP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7370ADP

SI7370ADP Datasheet (PDF)

..1. Size:97K vishay
si7370adp.pdf

New ProductSi7370ADPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)b, c Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.010 at VGS = 10 V 16 100 % Rg Tested COMPLIANT 60 450.0125 at VGS = 6 V 14.4 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 Primary Side Switch for 24 V DC/DC Applications

8.1. Size:297K vishay
si7370dp.pdf

Si7370DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 15.8 TrenchFET Power MOSFET 60 0.013 at VGS = 6 V 14.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

9.1. Size:490K vishay
si7374dp.pdf

Si7374DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0055 at VGS = 10 V 24 TrenchFET Power MOSFET30 36 nC0.0066 at VGS = 4.5 V 24 100 % Rg TestedSCHOTTKY PRODUCT SUMMARY APPLICATIONSVSD (V)VDS (V) IF (A) DC/

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Liste

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