SI7382DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7382DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7382DP

SI7382DP Datasheet (PDF)

..1. Size:487K vishay
si7382dp.pdf

Si7382DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Ultra-Low On-Resistance Using HighRoHS0.0047 at VGS = 10 V 2430 Density TrenchFET Gen II Power COMPLIANT0.0062 at VGS = 4.5 V 21MOSFET Technology Qg Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package wi

9.1. Size:460K vishay
si7388dp.pdf

Si7388DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 19COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK300.010 at VGS = 4.5 V 15 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested APPLICATIONSPowerPAK SO-8

9.2. Size:467K vishay
si7380adp.pdf

Si7380ADPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.003 at VGS = 10 V 40 PWM Optimized COMPLIANT30 54 nC0.0035 at VGS = 4.5 V 40 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedPowerPAK

9.3. Size:460K vishay
si7384dp.pdf

Si7384DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.0085 at VGS = 10 V 18COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency300.0125 at VGS = 4.5 V 14 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 1

9.4. Size:460K vishay
si7386dp.pdf

Si7386DPVishay SiliconixN-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Gen II Power MOSFETRoHS0.007 at VGS = 10 V 1930 11.5 COMPLIANT PWM Optimized for High Efficiency0.0095 at VGS = 4.5 V 17 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Pr

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