SI7403BDN Todos los transistores

 

SI7403BDN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7403BDN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.074 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7403BDN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:539K  vishay
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SI7403BDN

Si7403BDNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.074 at VGS = - 4.5 V - 8c TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated- 20 5.6 nC0.110 at VGS = - 2.5 V - 7.4 PowerPAK Package- Low Thermal Resistance- Low 1.07 mm ProfileAPPLICATIONSPowerPAK

 8.1. Size:47K  vishay
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SI7403BDN

Si7403DNNew ProductVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARY FEATURESD TrenchFETr Power MOSFETS: 2.5-V RatedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)D New PowerPAKt Package0.1 @ VGS = 4.5 V4.5 Low Thermal Resistance, RthJC20 Low 1.07-mm Profile0.135 @ VGS = 2.5 V 3.8APPLICATIONSD Load SwitchingD PA SwitchingS S SPowerPAKt 1212-8S3.3

 9.1. Size:486K  vishay
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SI7403BDN

Si7409ADNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Available0.019 at VGS = - 4.5 V - 11 TrenchFET Power MOSFET- 30 250.031 at VGS = - 2.5 V - 8.5 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile VDS Optimized for Load Switch

 9.2. Size:564K  vishay
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SI7403BDN

New ProductSi7405BDNVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.013 at VGS = - 4.5 V - 16aRoHS0.017 at VGS = - 2.5 V - 12- 16a 46 nCCOMPLIANTAPPLICATIONS0.024 at VGS = - 1.8 V - 16a Load Switch, PA Switch and Power Switch for Portab

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
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