SI7413DN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7413DN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-1212-8

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SI7413DN datasheet

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SI7413DN

Si7413DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.015 at VGS = - 4.5 V - 13.2 TrenchFET Power MOSFET 0.020 at VGS = - 2.5 V - 20 - 11.4 New PowerPAK Package 0.029 at VGS = - 1.8 V - 9.5 - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Profile APPLI

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SI7413DN

Si7414DN Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = 10 V 8.7 60 PWM Optimized 0.036 at VGS = 4.5 V 7.3 APPLICATIONS Primary Side Switch Synchronous Rectifier Motor Drives PowerPAK 1212-8 S 3.30 mm

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SI7413DN

Si7411DN Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.019 at VGS = - 4.5 V - 11.4 TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.025 at VGS = - 2.5 V - 20 - 9.9 New PowerPAK Package 0.034 at VGS = - 1.8 V - 8.5 - Low Thermal Resistance, RthJC - Low 1.07 mm Pro

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SI7413DN

Si7415DN Vishay Siliconix P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.065 at VGS = - 10 V - 5.7 TrenchFET Power MOSFET - 60 0.110 at VGS = - 4.5 V - 4.4 Fast Switching APPLICATIONS Load Switches Half-Bridge Motor Drives High Voltage Non-Synchronous Buck

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