SI7414DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7414DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7414DN

SI7414DN Datasheet (PDF)

..1. Size:530K vishay
si7414dn.pdf

Si7414DNVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available TrenchFET Power MOSFET 0.025 at VGS = 10 V 8.760 PWM Optimized0.036 at VGS = 4.5 V 7.3APPLICATIONS Primary Side Switch Synchronous Rectifier Motor DrivesPowerPAK 1212-8S3.30 mm

9.1. Size:532K vishay
si7411dn.pdf

Si7411DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.019 at VGS = - 4.5 V - 11.4 TrenchFET Power MOSFET: 1.8 V Rated0.025 at VGS = - 2.5 V - 20 - 9.9 New PowerPAK Package0.034 at VGS = - 1.8 V - 8.5- Low Thermal Resistance, RthJC- Low 1.07 mm Pro

9.2. Size:549K vishay
si7415dn.pdf

Si7415DNVishay SiliconixP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.065 at VGS = - 10 V - 5.7 TrenchFET Power MOSFET- 600.110 at VGS = - 4.5 V - 4.4 Fast SwitchingAPPLICATIONS Load Switches Half-Bridge Motor Drives High Voltage Non-Synchronous Buck

9.3. Size:531K vishay
si7413dn.pdf

Si7413DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Available0.015 at VGS = - 4.5 V - 13.2 TrenchFET Power MOSFET0.020 at VGS = - 2.5 V - 20 - 11.4 New PowerPAK Package0.029 at VGS = - 1.8 V - 9.5- Low Thermal Resistance, RthJC- Low 1.07 mm Profile APPLI

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Liste

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