SI7425DN Todos los transistores

 

SI7425DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7425DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

SI7425DN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:531K  vishay
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SI7425DN

Si7425DNVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.016 at VGS = - 4.5 V - 12.6 TrenchFET Power MOSFETS: 1.8 V Rated0.022 at VGS = - 2.5 V - 12 - 10.8 New PowerPAK Package0.029 at VGS = - 1.8 V - 3.5- Low Thermal Resistance, RthJC- Low 1.07 mm P

 9.1. Size:531K  vishay
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SI7425DN

Si7423DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.018 at VGS = - 10 V - 11.7 TrenchFET Power MOSFET- 300.030 at VGS = - 4.5 V - 9.0 New PowerPAK Package- Low Thermal Resistance, RthJC- Low 1.07 mm Profile APPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Ba

 9.2. Size:528K  vishay
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SI7425DN

Si7421DNVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.025 at VGS = - 10 V - 9.8 TrenchFET Power MOSFET- 300.043 at VGS = - 4.5 V - 7.4 New PowerPAK Package- Low Thermal Resistance, RthJC- Low 1.07 mm Profile PowerPAK 1212-8APPLICATIONS Bat

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History: AM2336N-T1 | SMOS44N80

 

 
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