SI7454CDP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7454CDP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 347 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0305 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7454CDP datasheet

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SI7454CDP

New Product Si7454CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0305 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 7.5 V 100 21 9.5 nC 100 % UIS Tested 0.043 at VGS = 4.5 V 18.5 Compliant to RoHS Di

 8.1. Size:161K  vishay
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SI7454CDP

Si7454DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.034 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.040 at VGS = 6.0 V 7.2 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg T

 8.2. Size:510K  vishay
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SI7454CDP

New Product Si7454DDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization For definitions of compliance 0.033 at VGS = 10 V 21 please see www.vishay.com/doc?99912 0.036 at VGS = 7.5 V 100 20 6.1 nC APPLICATIONS 0.047 at VGS =

 9.1. Size:126K  vishay
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SI7454CDP

New Product Si7456CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0235 at VGS = 10 V 27.5 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.0245 at VGS = 7.5 V 100 27 7.7 nC 100 % UIS Tested 0.0315 at VGS = 4.5 V 24 Compliant to RoHS D

Otros transistores... SI7439DP, SI7440DP, SI7445DP, SI7446BDP, SI7447ADP, SI7448DP, SI7450DP, SI7452DP, AO3407, SI7454DDP, SI7454DP, SI7455DP, SI7456CDP, SI7456DDP, SI7456DP, SI7457DP, SI7459DP