SI7454DDP Todos los transistores

 

SI7454DDP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7454DDP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 4.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 217 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.033 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAK-SO-8

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SI7454DDP Datasheet (PDF)

1.1. si7454ddp.pdf Size:510K _vishay

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New Product Si7454DDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • TrenchFET® Power MOSFET VDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) • 100 % Rg and UIS Tested • Material categorization: For definitions of compliance 0.033 at VGS = 10 V 21 please see www.vishay.com/doc?99912 0.036 at VGS = 7.5 V 100 20 6.1 nC APPLICATIONS 0.047 at VGS =

3.1. si7454dp.pdf Size:161K _vishay

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Si7454DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Available 0.034 at VGS = 10 V 7.8 • TrenchFET® Power MOSFETs 100 0.040 at VGS = 6.0 V 7.2 • New Low Thermal Resistance PowerPAK® Package with Low 1.07 mm Profile • PWM Optimized for Fast Switching • 100 % Rg T

 4.1. si7454cdp.pdf Size:476K _vishay

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New Product Si7454CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) () ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0305 at VGS = 10 V 22 • TrenchFET® Power MOSFET • 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 7.5 V 100 21 9.5 nC • 100 % UIS Tested 0.043 at VGS = 4.5 V 18.5 • Compliant to RoHS Di

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