SI7454DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7454DP 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SI7454DP MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SI7454DP datasheet
si7454dp.pdf
Si7454DP Vishay Siliconix N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.034 at VGS = 10 V 7.8 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.040 at VGS = 6.0 V 7.2 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg T
si7454ddp.pdf
New Product Si7454DDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested Material categorization For definitions of compliance 0.033 at VGS = 10 V 21 please see www.vishay.com/doc?99912 0.036 at VGS = 7.5 V 100 20 6.1 nC APPLICATIONS 0.047 at VGS =
si7454cdp.pdf
New Product Si7454CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0305 at VGS = 10 V 22 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 7.5 V 100 21 9.5 nC 100 % UIS Tested 0.043 at VGS = 4.5 V 18.5 Compliant to RoHS Di
si7456cdp.pdf
New Product Si7456CDP Vishay Siliconix N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.0235 at VGS = 10 V 27.5 TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested 0.0245 at VGS = 7.5 V 100 27 7.7 nC 100 % UIS Tested 0.0315 at VGS = 4.5 V 24 Compliant to RoHS D
Otros transistores... SI7445DP, SI7446BDP, SI7447ADP, SI7448DP, SI7450DP, SI7452DP, SI7454CDP, SI7454DDP, MMIS60R580P, SI7455DP, SI7456CDP, SI7456DDP, SI7456DP, SI7457DP, SI7459DP, SI7460DP, SI7461DP
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: PSMN7R6-60XS | HPMB84A | CHM1012LPAGP | FDMA910PZ | 2N7107 | VBE1101N | VBE1106N
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor
