IRFS352 Todos los transistores

 

IRFS352 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS352
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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IRFS352 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:187K  1
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IRFS352

 8.2. Size:235K  1
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IRFS352

IRFS350AFEATURESBVDSS = 400 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 11.5 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating AreaTO-3PF Lower Leakage Current: 10A (Max.) @ VDS = 400V Low RDS(ON): 0.254 (Typ.)1231.Gate 2. Drain 3. SourceAbsolute Maximum RatingsSymbol Character

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IRFS352

 8.4. Size:430K  international rectifier
 irfb3507pbf irfs3507pbf irfsl3507pbf.pdf pdf_icon

IRFS352

PD - 95935BIRFB3507PbFIRFS3507PbFIRFSL3507PbFApplicationsHEXFET Power MOSFETl High Efficiency Synchronous Rectification in SMPSl Uninterruptible Power Supply DVDSS75Vl High Speed Power SwitchingRDS(on) typ.7.0ml Hard Switched and High Frequency Circuitsl Lead-FreeG max. 8.8mID97ASBenefitsl Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dtRuggednessSSS

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History: IXTM4N80 | IXTM4N100A | P0806AT | IRFS634B | SFF75N08Z | FDMD85100 | HAT2026R

 

 
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