SI7485DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7485DP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0073 Ohm
Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7485DP
SI7485DP Datasheet (PDF)
si7485dp.pdf
Si7485DPVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0073 at VGS = - 4.5 V - 20 TrenchFET Power MOSFETs0.0090 at VGS = - 2.5 V - 20 - 18 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 0.013 at VGS = - 1.8 V - 15APPLICATIONS
si7489dp.pdf
Si7489DPVishay SiliconixP-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.041 at VGS = - 10 V - 28 TrenchFET Power MOSFET- 100 54 nC0.047 at VGS = - 4.5 V - 28PowerPAK SO-8SS6.15 mm 5.15 mm1S2S3G4GD8D7D6D5Bottom ViewDOrdering
si7483adp.pdf
Si7483ADPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0057 at VGS = - 10 V - 24 TrenchFET Power MOSFETS30 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.0095 at VGS = - 4.5 V - 17 Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg testedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8
si7483adp.pdf
SI7483ADPwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS 0.004 at VGS = - 10 V - 120COMPLIANT - 30 130 nC 100 % Rg Tested0.006 at VGS = - 4.5 V - 100APPLICATIONS Notebook- Load SwitchSDFN5X6Top ViewTop View Bottom View18G27364
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Liste
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