SI7495DP Todos los transistores

 

SI7495DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7495DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de SI7495DP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SI7495DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  vishay
 si7495dp.pdf pdf_icon

SI7495DP

Si7495DPVishay SiliconixP-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0065 at VGS = - 4.5 V - 21 TrenchFET Power MOSFET New Low Thermal Resistance PowerPAK0.008 at VGS = - 2.5 V - 19- 12Package with Low 1.07 mm Profile 0.011 at VGS = - 1.8V - 16APPLICATIONS Load Sw

 9.1. Size:475K  vishay
 si7491dp.pdf pdf_icon

SI7495DP

Si7491DPVishay SiliconixP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0085 at VGS = - 10 V - 18 TrenchFET Power MOSFETS30 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.013 at VGS = - 4.5 V - 14 Package with Low 1.07 mm Profile APPLICATIONSPowerPAK SO-8 Battery and Load Swit

Otros transistores... SI7465DP , SI7469DP , SI7476DP , SI7478DP , SI7483ADP , SI7485DP , SI7489DP , SI7491DP , 5N50 , SI7540ADP , SI7540DP , SI7601DN , SI7611DN , SI7613DN , SI7615ADN , SI7615DN , SI7617DN .

History: SPD07N60S5 | VS3647DB

 

 
Back to Top

 


 
.