SI7540ADP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7540ADP
   Código: EJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7540ADP

SI7540ADP Datasheet (PDF)

..1. Size:441K vishay
si7540adp.pdf

Si7540ADPwww.vishay.comVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) Thermally enhanced PowerPAK 0.0150 at VGS = 4.5 V 12.0 a, bN-Channel 20 8.5 nC 100 % Rg tested0.0195 at VGS = 2.5 V 10.7 a, b Material categorization: 0.0280 at VGS = -4.5 V -9.0 a, bfor de

8.1. Size:531K vishay
si7540dp.pdf

Si7540DPVishay SiliconixN- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.017 at VGS = 4.5 V 11.8 TrenchFET Power MOSFETsN-Channel 12 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.025 at VGS = 2.5 V 9.8Package with Low 1.07 mm Profile0.032 at VGS = - 4.5 V - 8.9 PWM

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Liste

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