SI7629DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7629DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0046 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7629DN

SI7629DN Datasheet (PDF)

..1. Size:576K vishay
si7629dn.pdf

New ProductSi7629DNVishay SiliconixP-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0046 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:- 20 0.0062 at VGS = - 4.5 V - 35a 59 nCFor definitions of compliance please see0.0117 at VGS = - 2.5 V - 35awww.v

9.1. Size:105K vishay
si7621dn.pdf

Si7621DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.090 at VGS = - 4.5 V - 4c TrenchFET Power MOSFET: 2.5 V Rated- 20 3.8 nC0.180 at VGS = - 2.5 V - 4c PowerPAK Package- Low Thermal Resistance- Low 1.07 mm Profile 100 Rg Tested

9.2. Size:126K vishay
si7625dn.pdf

New ProductSi7625DNVishay SiliconixP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.007 at VGS = - 10 V - 35d TrenchFET Power MOSFET- 30 39.5 nC 100% Rg Tested0.011 at VGS = - 4.5 V - 35d 100% UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECPowerPAK 1

9.3. Size:579K vishay
si7623dn.pdf

New ProductSi7623DNVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A) Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested0.0038 at VGS = - 10 V - 35a Material categorization:0.0053 at VGS = - 4.5 V - 20- 35a 55.5 nCFor definitions of compliance please see0.0090 at VGS = - 2.5 V

9.4. Size:559K vishay
si7620dn.pdf

Si7620DNVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.126 at VGS = 10 V 150 13 9.5 nC 100 % Rg TestedRoHSCOMPLIANT 100 % UIS TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side SwitchS3.30 mm 3.30 mmD1S2S3G4D8DG7D

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTA300N04T2-7

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: