SI7635DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7635DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 910 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0049 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7635DP datasheet

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SI7635DP

Si7635DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) Definition 0.0049 at VGS = 10 V - 40 TrenchFET Power MOSFET - 20 21.5 nC 0.0075 at VGS = 4.5 V - 40 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Load S

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SI7635DP

New Product Si7633DP Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0033 at VGS = - 10 V - 60 - 20 85 nC 100 % UIS Tested 0.0055 at VGS = - 4.5 V - 60 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Adaptor Switch S S 6.15 mm 5.15 mm 1 S 2 S 3 G 4 G D 8 D 7

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SI7635DP

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SI7635DP

New Product Si7634BDP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0054 at VGS = 10 V 40g COMPLIANT 100 % Rg Tested 30 21.5 nC 0.007 at VGS = 4.5 V 40g 100 % Avalanche Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS Notebook PC Core S - Low

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