SI7686DP Todos los transistores

 

SI7686DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7686DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7686DP PDF Specs

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SI7686DP

Si7686DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0095 at VGS = 10 V 35 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 30 9.2 nC Package with Low 1.07 mm Profile 0.014 at VGS = 4.5 V 35 Optimized for High-Side Synchronous Rectifier O... See More ⇒

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SI7686DP

Si7682DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 11 nC 0.0130 at VGS = 4.5 V 20 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 High-Side DC/DC Conversion - Notebook - Server S 6.15 mm 5... See More ⇒

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Si7684DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 11 nC 0.011 at VGS = 4.5 V 20 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion S - Notebook 6.15 mm 5.15 mm D ... See More ⇒

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