SI7686DP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7686DP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

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SI7686DP datasheet

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SI7686DP

Si7686DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0095 at VGS = 10 V 35 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT 30 9.2 nC Package with Low 1.07 mm Profile 0.014 at VGS = 4.5 V 35 Optimized for High-Side Synchronous Rectifier O

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SI7686DP

Si7682DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 11 nC 0.0130 at VGS = 4.5 V 20 100 % Rg Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 High-Side DC/DC Conversion - Notebook - Server S 6.15 mm 5

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SI7686DP

Si7684DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.0090 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET 30 11 nC 0.011 at VGS = 4.5 V 20 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS High-Side DC/DC Conversion S - Notebook 6.15 mm 5.15 mm D

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