SI7686DP Todos los transistores

 

SI7686DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI7686DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8
 

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SI7686DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  vishay
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SI7686DP

Si7686DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0095 at VGS = 10 V 35 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT30 9.2 nCPackage with Low 1.07 mm Profile0.014 at VGS = 4.5 V 35 Optimized for High-Side Synchronous RectifierO

 9.1. Size:471K  vishay
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SI7686DP

Si7682DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0090 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET30 11 nC0.0130 at VGS = 4.5 V 20 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK SO-8 High-Side DC/DC Conversion- Notebook- ServerS6.15 mm 5

 9.2. Size:91K  vishay
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SI7686DP

Si7684DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.0090 at VGS = 10 V 20 TrenchFET Power MOSFET30 11 nC0.011 at VGS = 4.5 V 20 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONS High-Side DC/DC ConversionS - Notebook6.15 mm 5.15 mmD

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History: AOT20N25

 

 
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