SI7788DP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7788DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: POWERPAK-SO-8

 Búsqueda de reemplazo de SI7788DP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI7788DP datasheet

 ..1. Size:510K  vishay
 si7788dp.pdf pdf_icon

SI7788DP

New Product Si7788DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0031 at VGS = 10 V 50 100 % Rg and UIS Tested COMPLIANT 30 37 nC 0.0041 at VGS = 4.5 V 50 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Low-Side DC/DC Conversion - Notebook - Gaming D S

 9.1. Size:479K  vishay
 si7784dp.pdf pdf_icon

SI7788DP

New Product Si7784DP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, g Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.006 at VGS = 10 V 35g COMPLIANT 100 % Rg Tested 30 13.7 nC 0.0082 at VGS = 4.5 V 35g 100 % UIS Tested APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectification DC/DC

Otros transistores... SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP, SI7772DP, SI7774DP, SI7784DP, AO3401, SI7790DP, SI7792DP, SI7794DP, SI7802DN, SI7804DN, SI7806ADN, SI7810DN, SI7812DN