SI7804DN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7804DN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-1212-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7804DN

SI7804DN Datasheet (PDF)

..1. Size:562K vishay
si7804dn.pdf

Si7804DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0185 at VGS = 10 V 10 TrenchFET Power MOSFET300.030 at VGS = 4.5 V 8 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK 1212-8APPL

9.1. Size:534K vishay
si7802dn.pdf

Si7802DNVishay SiliconixN-Channel 250-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.435 at VGS = 10 V 1.95 PWM-Optimized TrenchFET Power MOSFET2500.445 at VGS = 6 V 1.9 Avalanche Tested 100 % Rg TestedAPPLICATIONSPowerPAK 1212-8 Primary Side Switch Small DC/DC

9.2. Size:532K vishay
si7806adn.pdf

Si7806ADNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = 10 V 14 TrenchFET Power MOSFET300.016 at VGS = 4.5 V 12 PWM Optimized New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg TestedAPPLICATIONSP

9.3. Size:352K vishay
si7806dn.pdf

Si7806DNVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Available PWM Optimized0.011 at VGS = 10 V 14.4RoHS* New Low Thermal Resistance PowerPAK30COMPLIANTPackage with Low 1.07-mm Profile0.0175 at VGS = 4.5 V 12.6APPLICATIONS DC/DC Converters Secondary Sy

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