SI7884BDP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7884BDP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 335 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
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SI7884BDP datasheet
si7884bdp.pdf
New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S
si7884bd.pdf
New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S
si7884dp.pdf
Si7884DP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETS RoHS 0.007 at VGS = 10 V 20 COMPLIANT New Low Thermal Resistance PowerPAK 40 0.0095 at VGS = 4.5 V 17 Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested PowerPAK
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History: IPD100N06S4-03 | SI7882DP
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Liste
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