SI7886ADP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7886ADP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 873 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-SO-8
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SI7886ADP datasheet
si7886adp.pdf
Si7886ADP Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET RoHS 0.0040 at VGS = 10 V 25 COMPLIANT Optimized for Low Side Synchronous 30 47 0.0048 at VGS = 4.5 V 23 Rectifier Operation New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07
si7884bd.pdf
New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S
si7884bdp.pdf
New Product Si7884BDP Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)f Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.0075 at VGS = 10 V 58 100 % Rg and UIS Tested RoHS 40 21 nC COMPLIANT 0.009 at VGS = 4.5 V 53 APPLICATIONS PowerPAK SO-8 Synchronous Rectifier S 6.15 mm 5.15 mm 1 S
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