SI7905DN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI7905DN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Encapsulados: POWERPAK-1212-8
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SI7905DN datasheet
si7905dn.pdf
Si7905DN Vishay Siliconix Dual P-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition TrenchFET Power MOSFET 0.060 at VGS = - 10 V - 6e Low Thermal Resistance PowerPAK - 40 11 nC 0.089 at VGS = - 4.5V - 5f Package with Small Size and Low 1.07 mm Profile 100 % Rg and
si7904bd.pdf
Si7904BDN Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.030 at VGS = 4.5 V 6 TrenchFET Power MOSFET 0.036 at VGS = 2.5 V 20 6 9 nC APPLICATIONS 0.045 at VGS = 1.8 V 6 HDD Spindle Drive PowerPAK 1212-8 S1 3.30 mm 3.30 mm 1 D1 D2 G
si7900aedn.pdf
Si7900AEDN Vishay Siliconix Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFET 1.8 V Rated 0.026 at VGS = 4.5 V 8.5 New PowerPak Package RoHS 0.030 at VGS = 2.5 V 20 8 COMPLIANT - Low Thermal Resistance, RthJC 0.036 at VGS = 1.8 V 7 - Low 1.07 mm Profile
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Liste
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