IRFS442 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFS442

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm

Encapsulados: TO3P

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IRFS442 datasheet

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IRFS442

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IRFS442

IRFS440A FEATURES BVDSS = 500 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.85 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 6.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3PF Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 500V Lower RDS(ON) 0.638 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Charact

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IRFS442

November 2001 IRFS440B 500V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 6.2A, 500V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 41 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast s

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