SI7938DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI7938DP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERPAK-SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI7938DP

SI7938DP Datasheet (PDF)

..1. Size:510K vishay
si7938dp.pdf

New ProductSi7938DPVishay SiliconixDual N-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21Definition TrenchFETDocument Number: 65365 www.vishay.comS09-1923-Rev. A, 28-Sep-09 1

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