SI7956DP Todos los transistores

 

SI7956DP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI7956DP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 150 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.105 Ohm

Empaquetado / Estuche: PowerPAK-SO-8

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SI7956DP Datasheet (PDF)

1.1. si7956dp.pdf Size:473K _vishay

SI7956DP
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Si7956DP Vishay Siliconix Dual N-Channel 150-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) (Ω)ID (A) Available 0.105 at VGS = 10 V 4.1 • TrenchFET® Power MOSFET 150 0.115 at VGS = 6 V • Low On-Resistance in New Low Thermal 3.9 Resistance PowerPAK® Package • Dual MOSFET for Space Savings • 100 % Rg Tested

5.1. si7958dp.pdf Size:513K _vishay

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