SI8415DB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SI8415DB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.47 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
Paquete / Cubierta: MICRO-FOOT
Búsqueda de reemplazo de SI8415DB MOSFET
SI8415DB Datasheet (PDF)
Otros transistores... SI8402DB , SI8404DB , SI8405DB , SI8406DB , SI8407DB , SI8409DB , SI8410DB , SI8413DB , 60N06 , SI8416DB , SI8417DB , SI8424CDB , SI8424DB , SI8425DB , SI8429DB , SI8435DB , SI8439DB .
History: SI8417DB
History: SI8417DB
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AGM40P26S | AGM40P26E | AGM40P26AP | AGM40P25AP | AGM40P25A | AGM40P150C | AGM40P13S | AGM40P100H | AGM40P100C | AGM40P100A | AGM409D | AGM409A | AGM408MN | AGM408M | AGM406Q | AGM610MN
Popular searches
2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467

