SI8487DB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI8487DB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm

Encapsulados: MICRO-FOOT

 Búsqueda de reemplazo de SI8487DB MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SI8487DB datasheet

 ..1. Size:237K  vishay
 si8487db.pdf pdf_icon

SI8487DB

 9.1. Size:136K  vishay
 si8489edb.pdf pdf_icon

SI8487DB

 9.2. Size:129K  vishay
 si8483db.pdf pdf_icon

SI8487DB

Otros transistores... SI8465DB, SI8466EDB, SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB, SI8473EDB, SI8475EDB, SI8483DB, 10N60, SI8489EDB, SI8497DB, SI8499DB, SI8800EDB, SI8802DB, SI8805EDB, SI8806DB, SI8808DB