JCS5N50CT Todos los transistores

 

JCS5N50CT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JCS5N50CT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 101 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220C
 

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JCS5N50CT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf pdf_icon

JCS5N50CT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:2342K  jilin sino
 jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf pdf_icon

JCS5N50CT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS RdsonVgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

 7.1. Size:1627K  jilin sino
 jcs5n50.pdf pdf_icon

JCS5N50CT

N lSX:_W:WHe^vfSO{RN-CHANNEL MOSFETJCS5N50T \ Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS ID 5 A VDSS 500 V Rdson@Vgs=10V 1.6&! Qg 15 nC APPLICATIONS (u High efficiency switch _sQ5un

 9.1. Size:897K  jilin sino
 jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf pdf_icon

JCS5N50CT

N RN-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V RdsonVgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

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