JCS5N50FT MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

JCS5N50FT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS5N50FT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO-220MF

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JCS5N50FT datasheet

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jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf pdf_icon

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6.1. Size:2342K jilin sino
jcs5n50vc jcs5n50rc jcs5n50cc jcs5n50fc.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50C Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson Vgs=10V 1.45 14nC Qg APPLICATIONS High frequency switching mode power supply UPS Electronic ballast UPS FEATURES

7.1. Size:1627K jilin sino
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jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

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