APM2030N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM2030N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Encapsulados: TO252
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APM2030N datasheet
apm2030.pdf
APM2030N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/6A , RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=38m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) 1 2 3 Reliable and Rugged TO-252 Package G D S Top View of TO-252 Applications Power Management in Computer
apm2054n.pdf
APM2054N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/12A, RDS(ON)=35m (typ.) @ VGS=10V RDS(ON)=45m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=110m (typ.) @ VGS=2.5V 1 2 3 1 2 3 Super High Dense Cell Design High Power and Current Handling Capability G D S G D S TO-252, SOT-89 and SOT-223 Packages To
apm2014n.pdf
APM2014N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 20V/30A , RDS(ON)=12m (typ.) @ VGS=4.5V RDS(ON)=18m (typ.) @ VGS=2.5V Super High Dense Cell Design for Extremely Low RDS(ON) 1 2 3 Reliable and Rugged TO-252 Package G D S Top View of TO-252 Applications Power Management in Comput
apm2071pd.pdf
APM2071PD P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -20V/-4A, RDS(ON)=50m (typ.) @ VGS=-4.5V G RDS(ON)=75m (typ.) @ VGS=-2.5V D S Super High Dense Cell Design Top View of SOT-89 Reliable and Rugged (2) Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications (1) G DC/DC Converters S (3) P-Channel MOSFET Ordering and Marki
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