MDD1752RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDD1752RH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 243 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDD1752RH
MDD1752RH Datasheet (PDF)
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MDD1752 N-Channel Trench MOSFET 40V, 50A, 8.0m General Description Features The MDD1752 uses advanced MagnaChips trench V = 40V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)
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MDD1752RHwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0050 at VGS = 10 V 85COMPLIANT 40 80 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 70APPLICATIONS Synchronous Rectification Power SuppliesDTO-252 GG D S SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RA
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MDD1754 N-Channel Trench MOSFET, 40V, 20.5A, 27m General Description Features The MDD1754 uses advanced MagnaChips Trench V = 40V DSMOSFET Technology to provided high performance in on- I =20.5A(V =10V) D GSstate resistance, switching performance and reliability. RDS(ON)
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MDD1754RHwww.VBsemi.twN-Channel 4 0-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.013 at VGS = 10 V 5540 42 nC0.018 at VGS = 4.5 V 45APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGDG SSTop ViewN-Channel MOSFETAB
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