MDU1401SVRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDU1401SVRH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2400 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00105 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN56
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDU1401SVRH
MDU1401SVRH Datasheet (PDF)
mdu1401svrh.pdf
Preliminary Subject to Change without Notice 7.9 MDU1401S Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1401S uses advanced MagnaChips MOSFET V = 25V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1401S is suitable device
mdu1402vrh.pdf
Preliminary Subject to Change without Notice MDU1402 Single N-channel Trench MOSFET 25V General Description Features The MDU1402 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 25V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 66A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1402 is suitable device for DC/DC
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Liste
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