MDU1721VRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDU1721VRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 16.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1.85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDU1721VRH

MDU1721VRH Datasheet (PDF)

..1. Size:939K magnachip
mdu1721vrh.pdf

MDU1721 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 100A, 1.4m General Description Features The MDU1721 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1721 is suitable device for Synchronous

8.1. Size:943K magnachip
mdu1722vrh.pdf

MDU1722 Single N-channel Trench MOSFET 40V, 100A, 2.2m General Description Features The MDU1722 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 40V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 100A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDU1722 is suitable device for Synchronous

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Liste

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