MDU2511SVRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDU2511SVRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 14.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1197 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDU2511SVRH

MDU2511SVRH Datasheet (PDF)

..1. Size:754K magnachip
mdu2511svrh.pdf

MDU2511S Single N-channel Trench MOSFET 30V, 188A, 1.7m General Description Features The MDU2511S uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 188A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDU2511S is suitable device for DC/DC

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Liste

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