MDU2511SVRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDU2511SVRH
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1197 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Encapsulados: PDFN56
Búsqueda de reemplazo de MDU2511SVRH MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
MDU2511SVRH datasheet
mdu2511svrh.pdf
MDU2511S Single N-channel Trench MOSFET 30V, 188A, 1.7m General Description Features The MDU2511S uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 188A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDU2511S is suitable device for DC/DC
Otros transistores... MDU1518URH , MDU1531SURH , MDU1532SURH , MDU1535URH , MDU1536URH , MDU1721VRH , MDU1722VRH , MDU1931VRH , CS150N03A8 , MDU3603RH , MDU3605URH , MDU5512URH , MDU5593SVRH , MDU5692SVRH , MDU5693VRH , MDV1522URH , MDV1523URH .
History: SW3N10 | NTTFS4937NTAG | SLD65R380E7C | SI3475DV | CM220N04 | CS10N50A8R
History: SW3N10 | NTTFS4937NTAG | SLD65R380E7C | SI3475DV | CM220N04 | CS10N50A8R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291
