MDU3603RH Todos los transistores

 

MDU3603RH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MDU3603RH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDFN56
 

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MDU3603RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  magnachip
 mdu3603rh.pdf pdf_icon

MDU3603RH

MDU3603Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -67A, 9.1m General Description Features The MDU3603 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -67A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

 8.1. Size:762K  magnachip
 mdu3605urh.pdf pdf_icon

MDU3603RH

MDU3605Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0m General Description Features The MDU3605 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -35.6A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

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History: IXTA32N20T | 2SK4064LS | SVF4N60F | BUK7Y15-60E | 2SK3364-01

 

 
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