MDU3603RH Todos los transistores

 

MDU3603RH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDU3603RH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: POWERDFN56

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MDU3603RH datasheet

 ..1. Size:732K  magnachip
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MDU3603RH

MDU3603 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -67A, 9.1m General Description Features The MDU3603 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. I = -67A @V = -10V D GS RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

 8.1. Size:762K  magnachip
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MDU3603RH

MDU3605 Single P-Channel Trench MOSFET, -30V, -35.6A, 17.0m General Description Features The MDU3605 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = -30V Technology to provide low on-state resistance. ID = -35.6A @VGS = -10V RDS(ON) This device is suited for Power Management and load

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History: L1N60 | ZXMP6A16DN8 | PJW4N06A-AU | AOD2910 | CM8N80 | DG2N65-252

 

 

 

 

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