MDU5693VRH MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MDU5693VRH
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 11.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN56

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MDU5693VRH

MDU5693VRH Datasheet (PDF)

..1. Size:1582K magnachip
mdu5693vrh.pdf

MDU5693 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5693 uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 52A I = 100A @V = 10V D D GSquality. MDU5693 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)ge

8.1. Size:1593K magnachip
mdu5692svrh.pdf

MDU5692S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5692S uses advanced MagnaChips MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DSresistance, fast switching performance and excellent I = 52A I = 100A @V = 10V D D GSquality. MDU5692S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

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Liste

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