MDU5693VRH Todos los transistores

 

MDU5693VRH MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MDU5693VRH

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: PDFN56

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MDU5693VRH datasheet

 ..1. Size:1582K  magnachip
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MDU5693VRH

MDU5693 Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5693 uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 52A I = 100A @V = 10V D D GS quality. MDU5693 is suitable for DC/DC converter and R DS(ON) ge

 8.1. Size:1593K  magnachip
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MDU5693VRH

MDU5692S Dual Asymmetric N-channel Trench MOSFET 30V General Description Features The MDU5692S uses advanced MagnaChip s MOSFET FET1 FET2 Technology, which provides high performance in on-state V = 30V V = 30V DS DS resistance, fast switching performance and excellent I = 52A I = 100A @V = 10V D D GS quality. MDU5692S is suitable for DC/DC converter and R DS(ON)

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History: STD60NF55L | IRFD123 | IRF630MFP | IRHQ567110 | MSF10N80 | TPH2R608NH | BS107ARL1

 

 

 

 

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