MSK9N50F Todos los transistores

 

MSK9N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK9N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

MSK9N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  taitron
 msk9n50f msk9n50t.pdf pdf_icon

MSK9N50F

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NTTFS4C10N | AOK160A60FDL | SSM4502GM | FPF1C2P5BF07A | FQD20N06L | IRF7779L2TRPBF | SGSP341

 

 
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