MSK9N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK9N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 44 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 5.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 65 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 155.7 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSK9N50F

MSK9N50F Datasheet (PDF)

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msk9n50f msk9n50t.pdf

500V/9A N-Channel MOSFET MSK9N50T/F500V/9A N-Channel MOSFET General Description Fast switching time Low on resistance, low gate charge Excellent avalanche characteristics Suitable for electronic ballast Suitable for switching mode power supplies TO-220Features VDSS=500V, ID=9A; Low Drain-Source ON Resistance: RDS(ON) =0.8 @ VGS=10V

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Liste

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