MSS5P05U Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSS5P05U 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 71 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 123 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: TO-251
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MSS5P05U datasheet
mss5p05d mss5p05u.pdf
50V/5.3A P-Channel Power MOSFET MSS5P05D / MSS5P05U 50V/5.3A P-Channel Power MOSFET General Description Low on resistance Improved inductive ruggedness DPAK Fast switching time (TO-252) Rugged polysilicon gate cell structure Lower input capacitance Extended safe operating area Improved high temperature reliabillty IPAK Features (TO-251
Otros transistores... MSQ5N50, MSQ6N30, MSQ6N40, MSQ7434N, MSQ94P33, MSQ99N26, MSS34N40, MSS5P05D, 5N60, MSU11N50Q, MSU12N60F, MSU12N60T, MSU18N40, MSU1N60T, MSU1N60F, MSU1N60D, MSU1N60U
History: SI5486DU
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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