APM6010K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APM6010K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM6010K

APM6010K Datasheet (PDF)

..1. Size:260K sino
apm6010k.pdf

APM6010K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin ConfigurationDDD 60V/5A,DRDS(ON)=65m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)=90m (max.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )(RoHS Compliant)D D D DApplications(4)G LED TV Application.S S S(1, 2, 3)N-Channel MO

9.1. Size:545K sino
apm6055nu.pdf

APM6055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/18A, D RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=4.5VG Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Chan

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Liste

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