APM6010K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APM6010K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 12.4 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.065 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET APM6010K
APM6010K Datasheet (PDF)
apm6010k.pdf
APM6010K N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin ConfigurationDDD 60V/5A,DRDS(ON)=65m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)=90m (max.) @ VGS=4.5VSS Super High Dense Cell DesignSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )(RoHS Compliant)D D D DApplications(4)G LED TV Application.S S S(1, 2, 3)N-Channel MO
apm6055nu.pdf
APM6055NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/18A, D RDS(ON)=100m (Max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=130m (Max.) @ VGS=4.5VG Super High Dense Cell Design Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Chan
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