APQ09SN50A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: APQ09SN50A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 135 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET APQ09SN50A

APQ09SN50A Datasheet (PDF)

..1. Size:477K alpha pacific
apq09sn50a apq09sn50af.pdf

DEVICE SPECIFICATION apQ09SN50A(F)500V/9A N-Channel MOSFETDescription 1 Features These N-Channel enhancement mode power field 500V / 9ARDS(on) =0.6(typ) @ effect transistors are produced using planar stripe, VGS =10V, ID =5.4A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-stat

7.1. Size:417K alpha pacific
apq09sn90ad.pdf

DEVICE SPECIFICATION APQ09SN90AD 900V/9A N-Channel MOSFET1 Description 2 Features These N-Channel enhancement mode power field 850V / 9A effect transistors are produced using planar stripe, RDS(on) =1.05(typ)VGS =10V, ID =4.5A DMOS technology. Fast switching This advanced technology has been especially 100% avalanche tested tailored to minimize on-s

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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