IRFS741 Todos los transistores

 

IRFS741 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFS741
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFS741 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:304K  1
irfs740 irfs741 irfs742 irfs743.pdf pdf_icon

IRFS741

 ..2. Size:276K  1
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IRFS741

 8.1. Size:292K  international rectifier
irfs7437pbf irfsl7437pbf.pdf pdf_icon

IRFS741

StrongIRFETIRFS7437PbFIRFSL7437PbFApplicationsl Brushed Motor drive applicationsl BLDC Motor drive applicationsHEXFET Power MOSFETl Battery powered circuitsVDSS 40VDl Half-bridge and full-bridge topologiesl Synchronous rectifier applications RDS(on) typ. 1.4m l Resonant mode power supplies max. 1.8m l OR-ing and redundant power switches GID (Silicon Limite

 8.2. Size:542K  international rectifier
irfs7430-7ppbf.pdf pdf_icon

IRFS741

StrongIRFET IRFS7430-7PPbF Application HEXFET Power MOSFET Brushed Motor drive applications BLDC Motor drive applications VDSS 40V DPWM Inverterized topologies Battery powered circuits RDS(on) typ. 0.55m Half-bridge and full-bridge topologies 0.75mG max Electronic ballast applications ID (Silicon Limited) 52

Otros transistores... IRFS723 , IRFS730 , IRFS730A , IRFS731 , IRFS732 , IRFS733 , IRFS740 , IRFS740A , 75N75 , IRFS742 , IRFS743 , IRFS750A , IRFS820 , IRFS820A , IRFS821 , IRFS822 , IRFS823 .

History: RFP14N06L | SVF4N60CAF | APT6025BVR | 2N7064 | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | HPP120N08STA

 

 
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