CEM4248 Todos los transistores

 

CEM4248 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEM4248
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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CEM4248 Datasheet (PDF)

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CEM4248

CEM4282N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES540V, 6.6A, RDS(ON) = 36m @VGS = 10V. RDS(ON) = 48m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

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CEM4248

CEM4207P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES-40V, -7A, RDS(ON) = 30m @VGS = -10V. RDS(ON) = 40m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D1 D1 D2 D2Lead-free plating ; RoHS compliant.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41S1 G1 S2 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

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CEM4248

CEM4282N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES540V, 6.6A, RDS(ON) = 36m @VGS = 10V. RDS(ON) = 48m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.D D D DLead free product is acquired.8 7 6 5Surface mount Package.SO-81 2 3 41 S S S GABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TA = 25 C unless other

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CEM4248

CEM4279Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor (N and P Channel)FEATURES540V, 6.1A, RDS(ON) = 32m @VGS = 10V. RDS(ON) = 46m @VGS = 4.5V.-40V, -4.3A, RDS(ON) = 66m @VGS = -10V. RDS(ON) = 105m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D1 D1 D2 D28 7 6 5High power and current handing capability.Lead free product is acquired.Surfa

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