2SJ142 Todos los transistores

 

2SJ142 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ142
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SJ142 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  no
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2SJ142

 9.1. Size:282K  toshiba
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2SJ142

2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min) fs Low on resistance: R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9

 9.2. Size:293K  toshiba
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2SJ142

2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = 50 V (min) High input impedance: I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R : R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)

 9.3. Size:161K  nec
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2SJ142

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History: HFD1N60SA

 

 
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